川崎–(BUSINESS WIRE)–（ビジネスワイヤ） — 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、パワー半導体の新製品として、低オン抵抗でスイッチング損失を大幅に低減した第3世代 SiC MOSFET[注1][注2]を製品化しました。「TWxxxNxxxCシリーズ」10品種（1200V/650V耐圧）の出荷を本日から開始します。 新製品は、単位面積あたりのオン抵抗RDS(ON)Aを約43%削減[注3]しました。これにより、導通損失とスイッチング損失の関係を表す重要指標「ドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート・ドレイン間電荷量RDS(ON)×Qgd」を約80%削減[注4]し、スイッチング損失を約20％削減[注5]しました。オン抵抗削減とスイッチング損失削減の両立を実現した当社第3世代 SiC MOSFETは、産業用機器のさらなる高効率化に貢献します。 今後も当社はパワー半導体製品の製品ラインアップの拡充と生産設備の増強を進め、ユーザーがより使いやすく、高性能なパワーデバイスを提供することで、脱炭素社会の実現を目指します。 [注1] 当社第2世代SiC MOSFETで開発したショットキ