トランスフォームのマルチキロワット級パワーFETのSuperGaN Gen IVが車載適格性確認を取得

米カリフォルニア州ゴリータ–(BUSINESS WIRE)–(ビジネスワイヤ) — 高信頼性高性能窒化ガリウム(GaN)電力変換製品のパイオニアで世界的サプライヤーのトランスフォーム(OTCQX:TGAN)は本日、当社の主力製品である35 mΩデバイスのSuperGaN® Gen IVが、車載電子部品評議会(AEC)による車載用ディスクリート半導体のAEC-Q101ストレステストを成功裏に完了したと発表しました。この成果は当社にとって車載適格性確認を取得した製品ラインとして3つ目となります。 前世代のGen IIIと同様、Gen IV TP65H035G4WSQAデバイスは175度までの温度で適格性が確認されました。このジャンクション温度はシリコンMOSFETで適格性が確認された温度よりも25度高く、他のGaNソリューションではまだ達成されていない温度であり、中には125度までしか確認されていないものがあります。 オムディアの上級主任アナリストであるリチャード・エデン氏は、次のように述べています。「トランスフォームは、GaNプラットフォームの世代を重ねるごとに、デバイスの性能、

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