NextPower 100V 功率 MOSFET 具低 Qrr 值和175°C 高溫指標

奈梅亨–(BUSINESS WIRE)–(美國商業資訊) — Nexperia (其前身為恩智浦的標準產品部門) 今天宣布推出其功率 MOSFET 產品NextPower 100 V 系列。該產品系列具備低反向恢復電荷 (Qrr),且包括以 LFPAK56 (PowerSO8) 封裝(結溫可達到175°C)的器件。 NextPower 100 V MOSFET 是Nexperia 針對高效率開關和高可靠應用的最新一代元件。其具備低 50% 的 RDS(on) 值和強大的雪崩能量指標,因而是電源、電信和工業應用方面的理想選擇,尤其適合用於 USB-PD、Type-C充電器和轉換器及 48 V DC-DC 轉換器。該元件具備低體二極體損耗,其 Qrr 值低至 50 奈米庫倫 (nC) – 導致較低的反向恢復電流 (IRR),較低的電壓尖峰 (Vpeak) 及降低的振鈴紋波(有利於進一步最佳化死區時間)。 功率MOSFET產品經理 Mike Becker 先生表示:「Qrr 值是常常被關注的參數,該參數對許多設計方面有重大影響。低的尖峰意味著EMI 降低了,同時最佳化的死區時間進一步

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